AT45DB642D片内特性及芯片解密技术

　　AT45DB642D是一款2.7V，串行接口的FLASH存储器，是各种数字语音，图像，程序代码和数据存储应用的理想选择。AT45DB642D支持RapidS串行接口，适用于要求高速操作的应用。RapidS串行接口兼容SPI，最高频率可达66MHz。AT45DB642D的存储容量为34,603,008位，　AT45DB642D是一款2.7V，串行接口的FLASH存储器，是各种数字语音，图像，程序代码和数据存储应用的理想选择。AT45DB642D支持RapidS组织形式为8,192页，每页512或528页。

　　除了主存储器外，AT45DB642D还包含2个512/528字节的SRAM缓冲区。缓冲区允许在对主存储器的页面重新编程时接收数据，也可写入连续的数据串。通过独立的“读-改-写”三步操作，可以轻松实现EEPROM仿真（可设置成位或字节）。DataFlash通过RapidS串行接口顺序访问数据，而不像传统FLASH存储器那样通过复用总线和并行接口随机存取。

　　简单顺序访问机制极大的减少了有效引脚的数量，有利于硬件布局，增强了系统可靠性，将切换噪音降至最小，并缩小了封装的尺寸。

　　对于许多要求高容量，低引脚数，低电压和低功耗的商业级或工业级应用来讲，AT45DB642D是最佳的选择。

　　为了实现简单的在系统重复编程，AT45DB642D并不需要高输入电压来支持编程。AT45DB642D工作在独立的2.7V至3.6V电压下，用于编程和读取操作。AT45DB642D可通过片选引脚（/CS）使能，并通过3-wire接口访问，3-wire由串行输入（SI），串行输出（SO），和串行时钟（SCK）组成。

　　所有的编程和擦除周期都遵循自时序。

　　AT45DB642D 参数

　　容量 64M

　　Vcc (V) 2.7

　　I/O引脚 8, 28

　　接口类型 SPI, RapidS

　　页面大小 (Bytes) 528

　　封装类型 TSOP-40；CASON8

　　AT45DB642D 特性

　　·AAT45DB642的AT45DB642D版：

　　·单独2.7V至3.6V工作电压

　　·RapidS串行接口：66 MHz最小时钟频率

　　- SPI兼容模式 0 和 3

　　·用户自定义页面大小

　　- 512 字节每页

　　- 528 字节每页

　　- 页面大小可出厂预设为512字节

　　·页编程操作

　　- 智能编程操作

　　- 8,192 页(512/528 字节/页)主存储器

　　·灵活的擦除选项

　　- 页擦除(512 Bytes)

　　- 块擦除(4 Kbytes)

　　- 扇区擦除(64 Kbytes)

　　- 片擦除(32 Mbits)

　　·2个SRAM数据缓冲区(512/528 字节)

　　- 在对FLASH阵列重新编程时允许接收数据

　　·通过整体阵列可连续读取

　　- 代码映射应用的理想选择

　　·低功耗

　　- 7 mA 典型有效读取电流

　　- 25 μA典型待机电流

　　- 5 μA 典型掉电模式电流

　　·硬件和软件数据保护特性

　　- 独立扇区

　　·扇区锁定，用于代码安全和数据存储

　　- 独立扇区安全性：128字节安全寄存器

　　- 64字节用户可编程空间

　　- 唯一的64字节设备标识符

　　·JEDEC标准的制造商和器件ID标识

　　·每页编程/擦除周期最小100,000次

　　·数据保存-20年工业级温度范围

·可选绿色环保(Pb/Halide-free/RoHS 认证)封装

　　欢迎有AT45DB642D芯片解密等AT45系列解密需求客户，联系我司，我们在ATMEL系列单片机破解领域的技术已相当成熟，且针对AT45系列也已全线突破，欢迎需求客户联系我们。