盛世科技自成立以来率先提出以自主创新和反向研发相结合的理念，以欧美、日韩等高科技电子产品为突破口，依托深圳产业优势，建设具有中国特色的反向技术研制与自主设计开发服务平台。盛世科技长期向广大客户提供单片机解密（MCU解密）、专用IC解密、芯片解密、PLD芯片解密、CPLD芯片解密、ARM芯片解密，软件解密，单片机软硬件开发等解密服务以及所有芯片解密相关技术转让与咨询服务。以下是DALLAS芯片DS1345W片内特性分析：

　　DS1345W概述

　　DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V_CC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外，DS1345W器件具有监视V_CC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1345W器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代128k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。

　　DS1345W特性

　　·在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年

　　·掉电期间数据被自动保护

　　·当V_CC电压跌落时，电源监视器能够复位处理器、并在V_CC上升期间持续保持处理器的复位状态

　　·电池监视器核查剩余电量

　　·100ns的读写存取时间

　　·没有写次数限制

　　·典型待机电流50µA

　　·可升级128k x 8 SRAM、EEPROM或闪存

　　·第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态

　　·可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND

　　·PowerCap模块(PCM)封装

　　·表面贴装模块

　　·可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池

　　·所有非易失SRAM器件提供标准引脚

　　·分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸

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