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　　IS62WV51216BLL 概述

　　ISSI的IS62WV51216BLL是一个8M容量，组织结构为512K*16的高速率，低功耗静态随机存取存储器。IS62WV51216BLL采用ISSI公司的高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准加上创新的电路设计技术，造就了这款高性能，低功耗的器件。

　　当/CS1处于高电平或CS2处于低电平（未选中）时，或者/CS1处于低电平，CS2处于高电平并且/LB和/UB都为高时，IS62WV51216BLL进入待机模式。在此模式下，功耗可降低至CMOS输入标准。

　　使用IS62WV51216BLL的片选引脚和输出使能引脚，可以轻松实现存储器扩展。低触发写入使能引脚（/WE）将完全控制存储器的写入和读取。同一个字节允许高位（/UB）存取和低位（/LB）存取。

　　IS62WV51216BLL 特性

　　●高速率

　　·存取时间：45ns,55ns

　　·全静态操作：不需时钟或刷新

　　·输入输出兼容TTL标准

　　·独立供电：2.5V--3.6V Vdd

　　·三态输出

　　·高字节数据和低字节数据可分别控制

　　●低功耗操作

　　·CMOS低功耗操作

　　— 12μW（典型值）CMOS待机模式

　　— 36mW（典型值）操作功耗

　　●工业标准

　　·无铅环保

　　·可选工业级温度

·MBGA48,TSOP2-44封装

●并行接口