该SST89E54RD2A/RDA和SST89E58RD2A/RDA是8位微控制器设计与SST专利和专有的SuperFlash CMOS半导体工艺技术制造的产品FlashFlex家庭成员。分体式电池设计和厚栅氧化层隧道用于SST客户注射器成本和可靠性提供了重要利益。该设备使用的8051指令集和引脚对引脚微控制器与标准8051兼容的设备。
该设备具有24/40片上闪存EEPROM的1kB程序存储器它分成2个独立的程序存储器块分区。主要的块0
占地16/32内部程序存储器空间和二级1座占地8 K字节的内部程序存储空间K字节。
8 KB的二级块可以被映射到16/32 K字节地址空间的最低位置，它也可以从程序计数器和作为一个独立的EEPROM的数据存储器一样使用隐藏。
除了EEPROM的程序存储器24/40 K字节的片上，1024 X8的片上RAM的位，该设备可以处理多达64 K字节的外部程序存储器和高达64 K字节的外部RAM。
在快闪记忆体区块可以通过标准进行编程的OTP EPROM编程87C5x具有特殊适配器和用于SST设备的固件安装。在加电复位时，设备可以被配置为一个在应用中编程（IAP）从工作到源代码存储或外部主机主外部主机。
该设备被设计成在系统编程和在在印刷电路板的应用最大的灵活性。这些器件已预先编程
她在引导加载器显示的内存初始用户程序代码装载或用户代码后通过IAP操作更新的例子。样品引导加载器为用户的参考与方便使用;温不保证其功能或效用。芯片擦除或块擦除操作将擦除预编程示例代码。
 SST89E54RDA的特点
 8位8051兼容微控制器（MCU）的嵌入式超快闪记忆体与
 软件兼容
 开发工具兼容
 引脚对引脚兼容封装
 SST89E5xRD2A操作
 0至40兆赫在5V
 1 K字节内部RAM
 双块的SuperFlash EEPROM的
 16/32 K字节块小学中学的8 KB块（128字节扇区大小为两个区块）
 个人安全锁座与SoftLock
 并行运行过程中的在应用中编程（IAP）
 记忆中断支持IAP期间覆盖
 支持外部地址范围多达64个程序和数据存储器K字节
 三个高电流驱动端口（一十六毫安每个）
 3个16位定时器/计数器
 全双工增强型UART
 帧错误检测
 自动地址识别
 10点在4优先级中断源
 4个外部中断输入
 可编程看门狗定时器（WDT）
 可编程计数器阵列（PCA）
 4个8位I / O端口（32个I / O引脚）和一个4位端口
 第二DPTR寄存器
 低EMI模式（抑制啤酒）
 SPI串行接口
 标准12个周期的时钟，该器件有一个选项增加一倍的速度6个时钟周期。
 TTL和CMOS兼容逻辑电平
 掉电检测
 低功耗模式
 掉电模式与外部中断唤醒
 空闲模式
 温度范围：
 商业（0 ° C至70 ° C时）
 封装
 44引脚PLCC
 40引脚PDIP（端口4功能不可用）
 44引脚TQFP
 所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
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