TE28F320B3TA115是由3高级智能引导块，Intel最新的0.25μ技术制造的，代表了一种功能丰富的解决方案，以更低的整体系统成本。智能闪存器件集成了低电压能力（2.7 V读取，编程和擦除）高速，低功率运行。已添加了一些新功能，包括驱动能力的I/O为1.65V，显着降低了系统的有功功率和1.65V控制器的接口。一个新的阻塞计划使代码和数据存储在一个单一的设备。添加到Intel的Flash开发数据集成（FDI）的软件，你有一个符合成本效益的，单片代码加上数据存储解决方案的。TE28F320B3TA115智能3高级引导块产品将可在40引脚和48引脚TSOP和48-ball μBGA封装。为让客户更了解自身解密需求，从而更好地与芯片解密服务公司达成更好的解密方案与解密合作，我司整理了TE28F320B3TA115芯片解密的相关特性资料，仅供参考。
　　TE28F320B3TA115解密特性：
　　·灵活的SmartVoltage技术
　　  - 2.7 V-3.6 V读/编程/擦除
　  　- 12 V V（PP）快速生成编程
　　·2.7 V或1.65 V的I/O选项
　　  - 降低整个系统的功耗
　　·高绩效
　　  - 2.7 V-3.6 V：90 ns最大访问时间
　  　- 3.0 V-3.6 V：80 ns最大访问时间
　　·优化的块大小
　  　- 8个8 KB数据块，顶部或底部位置
　  　- 多达六十三64 KB的代码块
　　·挡锁定
　  　- VCC电平控制，通过WP＃
　　·低功耗
  　　- 10 mA典型的读出电流
　　·绝对硬件保护
　  　- VPP = GND选项
　  　- VCC锁定电压
　　·扩展温度操作
　  　- -40°C至+85°C
　　·闪光灯的数据集成软件
　  　- 快闪记忆体管理
　  　- 系统中断管理器
　  　- 支持参数存储，数据流（如语音）
　　·自动化程序和块擦除
　  　- 状态寄存器
　　·扩展循环能力
　  　- 最少100,000块擦除周期保证
　　·自动节能功能
  　　- 典型的I（CCS）后总线闲置
　　·标准表面贴装包装
  　　- 48球μBGA包装
　  　- 48引脚TSOP封装
　　  - 40引脚TSOP封装
　　·足迹升级
　  　- 升级路径4 - ，8 - ，16 - ，和32-Mbit的密度
　　·ETOX™VI（0.25μ）闪存技术
　　如客户有TE28F320B3TA115解密需求或其他IC解密、单片机解密等需求欢迎联系咨询我司客服了解更多详情。