三星内存颗粒

这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编

号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；

56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64

代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns

(CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例

如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“

28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以

计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内

存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的

颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验

码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容

量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买

时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

Micron内存颗粒
Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以

MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持

ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。

西门子内存颗粒
目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits

的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon

的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨

别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存

数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即

128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量

计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计

算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
Kingmax内存颗粒
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产

品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有

两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为：

64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。

HYUNDAI（现代）
现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片

编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no
其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作电压(空

白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、

8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，

256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、

80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、

2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low

Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内

核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil

SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm
TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100CL2或

3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns

〔66MHz〕）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh

cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封

装，10S代表CL=3的PC-100

LGS内存颗粒:
LGs早已被HY现代纳入麾下，但还是有必要单独介绍下它。LG现有的内存条编号后缀为7J

、7K、10K、8。其中10K是非PC100规格的，速度极慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM，7J和

7K工作模式的速度参数不同，LGs 7J编号在1073222，LGs 7K编号是1072222，两者的主要

区别是第三个反应速度的参数上。而8才是真正的8ns PC 100内存，但国内没有出现。现

在市面上还有很多10K的LGs内存，速度比7J和7K差很远，但因外型相差不大，所以不少奸

商把10K冒充7J或7K的来卖。而7J和7K经过测试比较，7K比7J的更优秀，上133MHz时7K比

7J更稳定，但7K的市面上不多见。
LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
GM72V XX XX X 1 X X T XX
GM代表为LGS的产品。
72代表SDRAM。
第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits，66为64Mbits。
第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。
第5个X代表Bank，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。
第6个X表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到"E"了。
第7个X如果是字母"L"，就是低功耗，空白则为普通。
"T"为常见的TSOPⅡ封装，现在还有一种BLP封装出现，为"I"。
最后的XX自然是代表速度：
7.5：7.5ns［133MHz］
8：8ns［125MHz］
7K：10ns［PC-100 CL2或3］
7J：10ns［100MHz］
10K：10ns［100MHz］
12：12ns［83MHz］
15：15ns［66MHz］

高士达（LGS）SDRAM内存芯片的识别
一、高士达SDRAM内存芯片编号识别
GM 72 X X XX X X X X X XXX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
现代SDRAM的内存芯片上的编号如上所示，其各位编号的意义如
下：
1：PREFIX OF LGS（LGS产品的前缀）
MEMORY IC的前缀
2：FAMILY（内存种类）
72:SDRAM
3：PROCESS＆POWER SUPPLY(工艺和电压)
V:CMOS(3.3V)
4：DENSITY＆REFRESH（内存密度和刷新）
16:16M,4K Ref
17:16M,2K Ref
28:128M,4K Ref
55:256M,16K Ref
56:256M,8K Ref
57:256M,4K Ref
64:64M,16K Ref
65:64M,8K Ref
66:64M,4K Ref
5：DATA WIDTH（数据带宽）
4:×4
8:×8
16:×16
32:×32
6：BANK（芯片组成）
1:1 BANK
2:2 BANK
4:4 BANK
8:8 BANK
7：I/O INTERFACE（I/O界面）
1:LVTTL
8：REVISION NO.（修正版本）
BLANK:ORIGINAL
A:FIRST
B:SECOND
C:THIRD
D:FOURTH
E:FIFTH
F:SIXTH
9：POWER（功率）
Blank:STANDARD
L:LOW－POWER
10：PACKAGE（IC封装）
T:TSOP(NORMAL)
R:TSOP(REVERSE)
I:BLP
K:TSOL
S:STACK
11：SPEED（速度）
6:150MHz
7:143MHz
74:135MHz
75:133MHz
8:125MHz
7K:(PC100,2－2－2)＊
7J:(PC100,3－2－2)＊＊
10K:(PC66)＊＊＊
10J:(PC66)＊＊＊＊
12:83MHz
15:66MHz
Note（注释）:
＊7K means to meet tCK=10ns,C.L=2,tAC=6ns。
＊＊7J means to meet tCK=10ns,C.L=3,tAC=6ns。
＊＊＊10K means to meet tCK=15ns,C.L=2,tAC=9ns。
＊＊＊＊10J means to meet tCK=15ns,C.L=3,tAC=9.5ns。