中微推用于3D芯片及封装的硅通孔刻蚀设备Primo TSV200E

中微半导体设备有限公司（中微）推出了8英寸硅通孔（TSV）刻蚀设备Primo TSV200E? -- 该设备结构紧凑且具有极高的生产率，可应用于8英寸晶圆微电子器件、微机电系统、微电光器件等的封装。继中微第一代和第二代甚高频去耦合等离子刻蚀设备Primo D-RIE? 和Primo AD-RIE?之后，中微的这一TSV刻蚀设备将被用于生产芯片的3D封装、CMOS图像感测器、发光二极管、微机电系统等。中微的8英寸硅通孔刻蚀设备Primo TSV200E?已经进入昆山西钛微电子和江阴长电的生产线，以支持其先进的封装生产制造。预计中微不久还将收到来自台湾和新加坡的订单。
　　中微的TSV刻蚀设备和同类产品相比有相当多的优点，在各种TSV刻蚀应用中表现出色。这些优点包括：双反应台的设计有效提高了产出率；独特设计的预热腔室保证了机台运行的高可靠性和高效能；独特的气体分布系统设计大大提高了刻蚀均匀性和刻蚀速率。这些特点使中微TSV刻蚀设备的单位投资产出率比市场上其他同类设备提高了30%。
　　中微此次推出的TSV刻蚀设备Primo TSV200E?标志着公司在发展历程中又迈出了新的一步，使中微的设备进入了这一快速发展的市场前沿。据市场调查公司Yole Developpement*预测，三维芯片及晶圆级封装设备的市场规模今年将达到7.88亿美元，2016年将攀升至24亿美元。TSV刻蚀设备将占据市场份额的一大部分，而其中的强劲需求多来自于中国企业。
　　中微开发TSV刻蚀设备恰恰满足了这样的需求。CMOS图像传感器、发光二极管、微机电系统以及其他许多装置都离不开微小的系统级芯片（SoC），而3D IC技术则是实现系统级芯片的必要条件。随着半导体关键尺寸日益缩小，采用新的堆叠处理方法势在必行。先进芯片变得日益复杂，就要求必须在能耗和性能之间寻求平衡。通过芯片的堆叠，连接线比传统的键合线更短，这就提高了封装密度，加快了数据传输和处理速度，并降低了能耗，所有这些在更小的单元中就可以实现。